(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)创造专利说明书(10)请求发布号CN101405219A(43)请求发布日2009-04-08(21)请求号CN0.6(22)请求日2007-03-19(71)请求人电气化学工业株式会社地址日本东京(72)创造人佐佐木修治中岛德久(74)专利署理组织中国国际贸易促进委员会专利商标事务所署理人(51)Int.CIC01B33/18(2006.01)C08K3/36(2006.01)C08L101/00(2006.01)C09C1/28(2006.01)H01L23/29(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求说明书说明书(54)创造称号二氧化硅粉末及其用处(57)摘要本创造供给一种可以直接进行高填充、可以给我们供给高成形性的密封材料的二氧化硅粉末。二氧化硅粉末在经过激光衍射－散射法测定的以体积为基准的频率粒度散布中，至少在1～4μm的粒度区域中具有极和在15～55μm的粒度区域中具有极大峰2；所述极大峰2的最大频率值比所述极大峰1的最大频率值大；所述极大具有肩峰；15～55μm的颗粒的含量比1～4μm的颗粒的含量大。法令状况法令状况公告日法令状况信息法令状况2009-04-08揭露揭露2009-04-08揭露揭露【二氧化硅粉末及其用处】技能领域本创造触及二氧化硅粉末及其用处。布景技能近年来，适应电子设备的小型轻质化、高性能化的要求，半导体封装的小型化、薄形化、窄节距化正在加快。此外，其装置的过程也逐步构成以适合于对配线基板等进行高密度装置的外表装置为干流。在这样的情况下，对半导体密封材料(以下称为“密封材料”。)也要求高性能化，特别是要求焊锡耐热性、耐湿性、低热胀大性、电绝缘性的进步。为满意这些要求，优选使用在环氧树脂中尽可能多地含有二氧化硅粉末的密封材料，但由于二氧化硅粉末的高填充(高含量)会导致密封材料的熔融粘度上升，因而可能会增大未填充、导线偏移(wireflowing)、芯片位移(Chipshift)等成形不良。所以，提出了各种不损坏这样的二氧化硅粉末高填充密封材料的流动性、成形性的技能。例如：使粒度散布的变化系数为10％以下，让粒度散布会集的办法(专利文献1)；使粒径45μm以上粉末的球形度为0.75～1.0，进步粗粉区域的球形度的办法(专利文献2)；使比外表积为5m专利文献1：日本特开平11-124504号公报专利文献2：日本特开号公报专利文献3：日本特开号公报专利文献4：日本特开平5-239321号公报创造内容本创造的意图是，供给一种可以大大削减二氧化硅粉末高填充的成形性杰出的密封材料中的毛刺的二氧化硅粉末、在橡胶及树脂的至少一方中含有该二氧化硅粉末的组合物和密封材料。本创造的二氧化硅粉末的特征是，在经过激光衍射-散射法测定的以体积为基准的频率粒度散布中，至少在1～4μm的粒度区域和15～55μm的粒度区域中具有极大峰的最大频率值(别离作为“极大峰1”、“极大峰2”。)；且极的最大频率值比极大峰1的最大频率值大；极大峰2上具有肩峰；15～55μm的颗粒的含量比1～4μm的颗粒的含量大。在本创造中，15～55μm的颗粒的含量为35～55体积％、1～4μm的颗粒的含量为10～30体积％、超越55μm的颗粒的含量为5体积％以下(包括0)、小于1μm的颗粒的含量为10体积％以下(包括0)、剩下部分由大于4μm小于15μm的颗粒构成；极大峰1的最大频率值在1.5～3.5μm之间；极大峰2的最大频率值在25～40μm之间；而且优选极大峰220μm的粒径规模内存在肩峰，此外，更优选30μm以上的颗粒的均匀球形度为0.85......完好内容请下载后检查