此前华为被美国禁令限制后处处碰壁的困境，已经向我们展示了半导体技术滞后带来的严重后果。

  一直以来，我国单晶硅产能不足，主要依赖于进口，这是严重制约我国集成电路产业高质量发展的“卡脖子”问题。

  单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性，是一种大范围的应用于半导体相关行业的重要材料。

  虽说单晶硅的制备工艺并不复杂，但是其纯度和性能对于生产的基本工艺要求极高，我国目前单晶硅生产技术相较于日本和欧美仍有较大差距。

  我国虽然也有自己的单晶硅产线，但其中一些关键设备，如单晶硅生长设备大多是从国外进口。

  近日，由西安理工和奕斯伟共同研制的国内首台大尺寸硅单晶生长设备实现一次试产成功，开发出直径300毫米、长度2100毫米的高品质单晶硅材料。

  我们掌握了属于自己的单晶硅生长设备制造技术，意味着中国打破了美国方面的技术封锁，至少在原材料这一块，中国不会再受制于人。

  今后我国将不再主要依赖于进口，可以在一定程度上完成自主量产高品质单晶硅，对我国半导体行业发展意义重大。

  大尺寸半导体硅单晶材料获得突破，毫无疑问，决对能够加速我国芯片行业发展！

  因为芯片是高技术产业，利润相当高，美国是这行业的老大，掌握了技术，躺着赚大钱，容不得别人在这上面分一杯羹！现在不惜用卑鄙的手段举国之力打压我国高技产业华为、中兴、中芯国际等等。原因吗？就是华为和中兴在5G技术领域超过了美国，中芯国际在芯片制造上也快赶超最先进的台积电了！

  西安理工大学刘丁教授团队和西安奕斯伟硅片技术有限公司紧密协作，共同研制，新一代大尺寸集成电路硅单晶生产设备，在西安实现试产成功。大尺寸半导体硅单晶材料，也是制约我国集成电路产业高质量发展的“卡脖子”问题。这次成功研制出直径300毫米、长度2100毫米的高品质硅单晶材料。历史性突破，国内自主研发的国产装备实现了拉制成功大尺寸、高品质集成电路级硅单晶材料。在该领域实现突破，对满足我国集成电路产业高质量发展意义重大。

  1、设计有华为海思这个世界级芯片企业，目前成绩斐然，已超越了美国的高通和英特尔，站在了世界最高峰，引起了美国的羡慕嫉妒恨，千方百计想整垮华为和旗下的海思！

  2、测试、封装环节有长电科技、通富微电等世界级先进企业；前段时间长电科技有限公司也取得了好成绩，测试、封装上达到世界一流水平。

  3、芯片制造的中芯国际也传来好消息，梁孟松任CEO后大搞研发技术，改革制造工艺，只用短短三年时间，28nm、14nm、12nm及n+1等技术均已进入规模量产，7nm技术的开发也已完成，明年四月就可以马上进入风险量产···5nm和3nm的最关键最艰巨的8大项技术也已经有序展开，只待EUV光刻机的到来，就能进入全面开发阶段”。“从28nm到7nm”,共五个世代的技术开发只用了三年，这是国际上任何一个公司都不可能完成的事情！恰恰梁孟松带领中芯技术人员完成了！可是这么好的世界顶级人才要被中芯挤走了，大家认为，这应该吗？这是要伤害科学技术人员的心吗？

  随着我国对集成电路领域的全力支持和专研，将来还会有更多的突破和成功！只有自己掌握了真正的核心技术才能不再受制于人！“人心齐，泰山移”。毛主席说:“帝国主义是纸老虎，中国人民是世界上最伟大的民族，没有干不了的事”。大尺寸半导体硅单晶材料获得突破，毫无疑问，在加速我国芯片行业发展当中起到了至关重要的作用！

  希望全国人民在党下，上下齐心、撸起袖子、甩开膀子努力拼搏，加油！加油！高端芯片很快成功。中国站在世界芯片半导体产业的至高点，甚至弯道超车，很快就会到来。