半导体体系相图.SiO在加热或冷却过程中存在杂乱的多晶改变SiO实线部分将相图分红六个单相区:-石英，每二个相区之间的界限代表体系中二相平衡状况LM----石英和SiO石英饱满蒸气压曲线OC---SiO蒸气之间的二相平衡，为SiO点直线是晶型改变线，反映相应的两种变体之间的平衡共存，如过M点直线表明石英之间彼此改变的温度随压力的改变。每三个相区交汇的点是三相点，图中有四个三相点，如M点表明依据多晶改变时的速度和晶体结构产生的改变不同，可将SiO方石英之间结构差异较大，改变时构成新的结构，改变速度慢---一级变体之间改变同系列中的高低温型即、、形状之间的改变，各变体之间的结构差异小改变速度快---二级变体之间改变方石英之间的改变就来不及完结，此刻可能会产生一系列的介稳状况，这些有几率产生的介稳状况都用虚线表明在相图上石英应改变为石英可从始至终坚持到1600（点）直接熔融为过冷的SiO熔体，故NN其实便是过热DD是过热鳞石英饱满蒸汽压。冷却过程中，假如冷却速度不是十分慢，高温SiO方石英，而是成为过冷熔体虚线ON在CO的延伸线上，是过冷SiO熔体饱满蒸气压曲线，表明过冷SiO蒸气二相之间的介稳平衡状况。假如冷却速度足够慢，方石英冷却到1470应改变为鳞石英，但实践过程中却往往会过冷到230改变为与石英，而是过冷到163改变为鳞石英虽然在低温下是不安稳的，但因为它们改变为热力学安稳态的速度很慢，实践上可长期坚持自己的形状。石英在573彼此改变，因为结构附近，改变速度很快，一般不呈现过热或过冷现象。一切处于介稳状况变体的饱满蒸气压都比相同温度规模内处于热力学安稳态变体的饱满蒸气压高，故介稳态是处于一种较高的能量状况，有自发改变为热力学安稳态的趋势，处于较低能量状况的热力学安稳态则不能自发改变为介稳态。在给定的温度规模，具有最小蒸气压的相一定是最安稳的相，假如二个相处于平衡状况，其蒸气压必定相同。）是水泥熟猜中几种首要的矿藏之一共有、、和等五种晶型，晶型的彼此转化在加热与冷却时的转化次第有一些差异.加热时改变次第：，但通常是过冷到670左右改变为结构和性质附近，是介稳物质，能量大于，同时产生体积胀大（约增大9%则没有。因而，假如水泥熟猜中产生的改变，水泥质量就要下降。为避免改变，生产中往往选用急冷，使晶型保存下来。别的也可参加少数安稳剂（如P.ZrO最耐高温的氧化物之一，熔点2680，杰出的热化学安稳性，优秀的高温导电功能烧结氧化锆制品，可用作超高温耐火资料、高温发热元件、电极资料以及特别用处的坩埚等.ZrO12002370单斜ZrO1000单斜ZrO，这个改变是可逆的，并且改变速度很快加热过程中由单斜ZrO的温度是1200，而冷却过程中从四方ZrO的温度是1000，呈现了多晶改变中常见的滞后现象