在曩昔的几年里，200mm设备在商场上一向求过于供，但现在整个300mm供给链也呈现了问题。传统上，300毫米设备的交货时刻为三到六个月，而特定体系的交货时刻更长。但是，现在，收购极紫外(EUV)光刻扫描仪在大多数情况下要一年或更长时刻。堆积、蚀刻和其他体系的交给周期也很长。

  现在，许多芯片制作商在全球具有并运营着很多200毫米和300毫米晶圆厂。200mm晶圆厂用来制作依据老练工艺的芯片，范围在350nm到90nm之间。

  当今先进的晶圆厂是300mm设备，用于加工7nm和5nm的芯片。这些晶圆厂还在65nm到28nm的老练节点制作设备。

  在根本光掩模流程中，IC供货商运用各种EDA软件东西规划芯片。然后，芯片规划被转换成文件格局，并运送给光掩模供货商。在光掩模设备中，运用各种设备将该文件转换为掩模。

  光掩模是IC规划的主模板。光掩模一般出产两种类型的掩模——光学和 EUV。在工业中运用多年，光学导向光掩模由玻璃基板上的不透明铬层组成。

  一旦出产出硅晶圆，它们就会被运往芯片制作商，然后由芯片制作商在晶圆厂将这些晶圆加工成芯片。光掩模制作商还将制品掩模运送到晶圆厂。

  在晶圆厂制作芯片很杂乱。每种芯片类型都遵从不同的工艺流程。一般来说，要制作芯片，第一步是在硅片上堆积一层二氧化硅，然后再堆积一层氮化物。然后将晶圆刺进称为涂布机/显影机的体系中。在该体系中，光刻胶（一种光敏资料）被浇注到晶圆上。晶圆以十分快速地旋转，导致抗蚀剂掩盖晶圆。

  多年来，芯片制作商运用依据光学的光刻体系来对芯片上的特征进行图画化。当今先进的光学扫描仪运用193nm波长来对芯片上较小的特征进行图画化。

  运用多重图画化，芯片制作商将193nm浸没式光刻技能扩展到7nm。但在今日的5nm工艺节点，运用这一些技能太杂乱了。这便是EUV的用武之地，EUV 简化了流程，使芯片制作商可以在7nm及更远的节点上对困难的功用进行图画化。

  没有痕迹阐明200毫米和300毫米晶圆厂对芯片的需求正在放缓。也便是说，动态或许会在一夜之间发生变化。

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